SiC功率器件市场正处在爆发式增长的前期

我国第三代半导体的产业化之路由来已久，但受制于技术等因素，市场始终不愠不火。然而今年市场出现明显改观，各大半导体厂商纷纷加码投资扩产，诸如天和通讯、吴越半导体分别投资60亿元和37亿元用于GaN的全产业链建设，博方嘉芯、华通芯电投资25亿元和29亿元投入GaN射频建设当中。

不过，当前第三代半导体下游应用大多处在研发阶段，尚未形成量产化，因此SiC处在爆发式增长的前期。据Yole预测，2017年至2023年，SiC的复合年增长率将达到31%，到2023年，其市场规模约为15亿美元。在该领域，国产厂商对于SiC的研究起步时间与国外厂商差距较小，差距尚无第一、第二代半导体显著。因此，国产厂商有望追上国外企业，逐步实现国产替代。

与此同时，Global Market Insights数据显示，GaN与SiC功率器件市场在2025年将达到30亿美元，年复合增速达到30%。半导体区别于其它材料的主要特性是带隙能，而GaN提供的带隙能是Si的3倍，更高的带隙意味着较高温度下的更佳性能电压，因此，GaN将会成为Si的理想替代品。随着上述设备在光伏逆变器、混合动力和电动汽车、UPS和其他电力应用领域的应用，该市场已经初步显现。

因此，为了让投资者更充分了解第三代半导体的产业现状，12月17日（周四）15:30，邀请到方正证券科技行业首席分析师陈杭做客第二十四期“开讲”，带来以《第三代半导体产业分析》为主题的精彩演讲。