电力电子新技术的发展已将工业市场引向其他资源以优化能源效率。硅和锗是当今用于生产半导体的两种主要材料。损耗和开关速度方面的有限发展已将技术引向新的宽带隙资源，例如碳化硅 (SiC)。

氮化镓+碳化硅PD20W65W90W100W120W150W180W200W成功量产！

我国第三代半导体的产业化之路由来已久，但受制于技术等因素，市场始终不愠不火。然而今年市场出现明显改观，各大半导体厂商纷纷加码投资扩产，诸如天和通讯、吴越半导体分别投资60亿元和37亿元用于GaN的全产业链建设，博方嘉芯、华通芯电投资25亿元和29亿元投入GaN射频建设当中。

近两年来，各国科技企业都在关注半导体建设，加快在半导体领域中的自主研发步伐，毕竟半导体涉及到的领域也比较广，能够为各行各业的发展提供帮助，可以说生活中所有的家电都离不开半导体，而目前半导体主要在逆变器的使用、资源节省和汽车电动化发展上进行广泛应用，很多日本企业也都提出“车载”的口号，为日本半导体带来新的发展机遇。

随着微电子技术的发展，传统的Si和GaAs半导体材料由于本身结构和特性的原因，在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不足和局限性，目前，人们已将注意力转移到SiC材料，这将是最成熟的宽能带半导体材料。

据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估，汽车，电气设备，信息和通信设备等领域对下一代功率半导体​（SiC和GaN）需求的预计将增加。预计2030年（与2018年相比）SiC成长10倍，GaN翻至60倍，Si增长45.1％。

近些年，随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅​（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增，因此也吸引了产业链相关企业的关注。在产业应用进一步成熟的趋势下，SiC的争夺战正一触即发！

SiC是第三代半导体材料的代表。以硅而言，目前SiMosfet应用多在1000V以下，约在600~900V之间，若超过1000V，其芯片尺寸会很大，切换损耗、寄生电容也会上升。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC功率器件的损耗是Si器件的50%左右。SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。