首页>>元坤资讯>>俄罗斯制定半导体发展计划2030年实现量产28nm

俄罗斯制定半导体发展计划2030年实现量产28nm

阅读量:618

分享:
2022-05-24 14:22:40

418日消息,由于面临制裁而无法从常规供应商处获得芯片,俄罗斯正在拟定计划,以重振其境况不佳的本地半导体制造业,新芯片计划涉及未来8年相当大规模的投资。

tomshardware报道,俄罗斯政府已经制定了新的微电子发展计划的初步版本,到2030年需要大约3.19万亿卢布(384.3亿美元)的投资。据Cnews报道,这些资金将用于开发本土半导体生产技术、本土芯片开发、数据中心基础设施、本土人才的培养以及国产芯片和解决方案的营销。

421.png

在半导体制造方面,俄罗斯计划投入4200亿卢布(50亿美元)用于新制造技术的研发。俄罗斯的短期目标之一是在今年年底前提高使用90nm制造技术的本地芯片产量,长期目标是在2030年之前建立使用28nm节点的制造系统,这是台积电在2011年就实现的目标。

该计划将于2022422日最终确定,并提交给总理正式批准。


搜   索

为你推荐

  • TD301DCANH3 管装

    品牌:MORNSUN(金升阳)

    TD301DCANH3

    封装/规格:DIP-8我要选购

  • TD501D485H-A 管装

    品牌:MORNSUN(金升阳)

    TD501D485H-A

    封装/规格:插件我要选购

  • NUCLEO-F429ZI

    品牌:ST(意法半导体)

    NUCLEO-F429ZI

    封装/规格:开发板我要选购

  • CSD95373BQ5M 编带

    品牌:TI(德州仪器)

    CSD95373BQ5M

    封装/规格:LSONCLIP-12我要选购

  • GP2Y1014AU0F

    品牌:SHARP(夏普)

    GP2Y1014AU0F

    封装/规格:模块我要选购