用理论告诉你三极管和MOS管的区别

三极管也被称为半导体三极管，在电路设计中可以对电流进行中止控制，其主要作用是将微小的信号中止放大。由于三极管与MOS管有很多相近的地方，所以使得初学者无法明确两者之间的区别，本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同。

三极管是电流控制，MOS管是电压控制。关于两者之间的区别，小编主要列举以下几点：

 1、只容许从信号源取少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。

2、MOS管是单极性器件，即靠一种多数载流子导电；三极管是双极性器件，即有多数载流子，也要有少数载流子导电。

 3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。

 4、MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。

 5、MOS管输入阻抗大，低噪声。

 6、MOS管较贵，三极管价格低廉但损耗大。

 7、MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路，三极管常用来数字电路开关控制。

 一方面，三极管操作简单且价格低廉，因为常常被用于数字电路的开关控制当中。而MOS管则常用于高频高速电路、大电流场所以及对基极或漏极控制电流比较敏感的中央。

所以对于低成本场所来说，考虑将三极管作为首选，若行不通再考虑选用MOS管。

另一方面，三极管与MOS管的工作方式不同。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为组织多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压得指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时。基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正导游通电压（工程上普通以为0.7v）。

但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时假设集电极-发射极加正点压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（理论上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区抵达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。

集电极的电子经过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三级管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，假设这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需求时间。而MOS与三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。