元坤智造 宇航芯片 抗辐射16K×8bit双端口SRAM YK7006RH

YK7006RH是一款高性能、异步、抗辐射双端口静态随机存取存储器，容量达到128Kbit。其读写操作由三个控制信号完成：片选信号、读/写使能信号和输出使能信号。当片选有效为低电平)，R为低电平时，8位I/O上的数据被写入存储器件：当片选有效为低电平，R为高电平且输出使能为低电平时，存储器中的数据被读出，并被输出到8位IO端口。

除了基本的读写操作，电路还具有以下三项功能：令牌、仲裁及中断。

主要特点

◎ 兼容型号：IDT公司IDT7006L35FB

◎ 存储容量：16K×8bit

◎ 工作电压：4.5V～5.5V

◎ 读写时间：40ns

◎ 接口电平：TTL电平

◎ 抗辐射指标：总剂量：100K Rad（Si）

单粒子闩锁阈值：75MeV·cm2/mg

单粒子翻转错误率≤1×10-10错误/位·天

◎ 封装形式：CQFP68

◎ 外形尺寸：29.892mm×29.892mm（标准成型尺寸）