东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。

奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。

MOSFET，它是一种可以常使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路。确定MOSFET的主要特性是其漏源电压VDS，或“漏源击穿电压”，这是在栅很短路到源极，漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的确保不损坏的高电压。VDS也被称为“25℃下的绝 对 高电压”，但是定要记住，这个绝 对电压与温度有关，而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。

据IC渠道商透露，受半导体库存调整及大陆厂产能开出影响，原本需求强劲，供不应求的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）也将从下季起降价，尤以消费性应用端降幅最甚，最高降价两成，牵动世界、合晶、大中、杰力等业者营运。