半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。

近两年来，各国科技企业都在关注半导体建设，加快在半导体领域中的自主研发步伐，毕竟半导体涉及到的领域也比较广，能够为各行各业的发展提供帮助，可以说生活中所有的家电都离不开半导体，而目前半导体主要在逆变器的使用、资源节省和汽车电动化发展上进行广泛应用，很多日本企业也都提出“车载”的口号，为日本半导体带来新的发展机遇。

据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估，汽车，电气设备，信息和通信设备等领域对下一代功率半导体​（SiC和GaN）需求的预计将增加。预计2030年（与2018年相比）SiC成长10倍，GaN翻至60倍，Si增长45.1％。

SiC是第三代半导体材料的代表。以硅而言，目前SiMosfet应用多在1000V以下，约在600~900V之间，若超过1000V，其芯片尺寸会很大，切换损耗、寄生电容也会上升。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC功率器件的损耗是Si器件的50%左右。SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。