行业动态 市场趋势 新品发布 客户案例 厂商动态 实时热评 基础知识 技术资讯
最流行的 e-mode HEMT 结构是在栅极上使用 p-GaN 层。实现的典型 Vt 在 1-2 V 范围内。HEMT 在开关应用中的固有优势得以保留,并且开关损耗可以更低。
搜 索
热门标签
热门文章
> 光电显示解决方案
> 少儿编程教育一站式开发
> 医疗器械产品服务案例
> 解决智能穿戴设备物料采购
> 汽车灯组控制系统
热门型号
LPV812DGKT 编带
品牌:TI(德州仪器)
LPV812DGKT
封装/规格:VSSOP-8_3x3x065P我要选购
LMC7101AIM5/NOPB 编带
LMC7101AIM5/NOPB
封装/规格:SOT-23-5我要选购
TP1541A-TR 编带
品牌:3PEAK
TP1541A-TR
SGM8541XN5/TR 编带
品牌:SGMICRO(圣邦微)
SGM8541XN5/TR
GS321 SOT-23-5 编带
品牌:Gainsil聚洵
GS321-TR
在线客服
服务时间: 周一至周六 9:00 - 18:00
QQ客服
1584878981
客服热线
400-618-9990 / 13621148533
官方微信
关注微信公众号