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在今年的剑桥ARM研究峰会上,ARM公司Fellow Greg Yeric畅谈了ARM对众多新兴非易失性存储器的看法。Yeric表示,ARM正在关注这些前沿的存储技术,因为它有可能对逻辑空间产生巨大的颠覆性,在硬件和软件平台层面也是如此。“有各种类型的电阻式RAM和磁性RAM出现,TSMC最近就制造了一种嵌入式ReRAM,而类似的技术和产品的研发及生产案例还有很多。ARM也有自己的项目,是由DARPA资助的CeRAM(correlated electron RAM)研究”。
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