行业动态 市场趋势 新品发布 客户案例 厂商动态 实时热评 基础知识 技术资讯
磷化铟衬底上的InAs和InAsSb纳米线可形成适用于焦平面阵列的室温SWIR或MWIR光电二极管。
搜 索
热门标签
热门文章
> 光电显示解决方案
> 少儿编程教育一站式开发
> 医疗器械产品服务案例
> 解决智能穿戴设备物料采购
> 汽车灯组控制系统
热门型号
2.2uH ±20% 1.23A 编带
品牌:TDK
VLF302510MT-2R2M
封装/规格:3.0*2.5*1.0我要选购
0.24uH ±20% 编带
品牌:chilisin(奇力新)
MHCH252010A-R24M-AU
封装/规格:2520我要选购
22uH ±20% 1.1mA 编带
品牌:muRata(村田)
LQH66SN220M03L
封装/规格:2220我要选购
20nH ±5% 550mA 编带
LQW18AN20NJ00D
封装/规格:0603我要选购
10nH ±2% 650mA 编带
LQW18AN10NG00D
在线客服
服务时间: 周一至周六 9:00 - 18:00
QQ客服
1584878981
客服热线
400-618-9990 / 13621148533
官方微信
关注微信公众号