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英特尔公司中国区非易失性存储事业部总经理刘钢先生同期出席大会并发表主题演讲,阐释了英特尔通过傲腾(TM)技术突破瓶颈并运用3D NAND存储更多数据的内存策略,英特尔重塑内存和存储行业的愿景,以及英特尔如何通过傲腾(TM)技术和QLC 3D NAND (TM)技术的强强联合来突破瓶颈,重塑数据中心存储架构。
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CBB81高压高频电容器 1nF(102) ±5% 2000V
品牌:SRD(圣融达)
PPB102JDE1RLC
封装/规格:26.3*6*15/P=22.5我要选购
CBB21金属膜电容 47nF(473) ±5% 630V
MPP473J6100408LC
封装/规格:10*4*8/P=7.5我要选购
CBB21金属膜电容 100nF(104) ±5% 630V
MPP104J6190712LC
封装/规格:18*7*12/P=15我要选购
CBB81高压高频电容器 10nF(103) ±5% 2000V
PPB103JDDARLC
封装/规格:18*10*15.8/P=15我要选购
CBB23 150nF(154) ±10% 250V
品牌:WINDAY(台湾威迪)
SMPC_154K0250DB1015
封装/规格:13*6*12 插件P=10mm我要选购
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