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“目前,科研团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础,并利用自主搭建的实验测试平台,结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术,实现了小尺寸SiC(碳化硅)单晶片的激光剥离。”中国电子科技集团第二研究所(以下简称“中电科二所”)近日传来好消息,在SiC激光剥离设备研制方面,取得了突破性进展。
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